參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTCM322TC
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 4A條一（c）| LLCC
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
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代理商： ZXTCM322TC
SUMMARY
V
CEO
= 50V; R
SAT
= 68m ; I
C
= 4A
DESCRIPTION
Packaged in the innovative 2mm x 2mm MLP (Micro Leaded Package) outline,
this new 4
th
generation low saturation transistor offers extremely low on state
losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power
management functions.
Additionally users will also gain several other
key benefits
:
Performance capability equivalent to much larger packages
Improved circuit efficiency & power levels
Lower package height (nom 0.9mm)
PCB area and device placement savings
Reduced component count
FEATURES
Low Equivalent On Resistance
Extremely Low Saturation Voltage
(100mV max @1A)
h
FE
specified up to 6A
I
C
= 4A Continuous Collector Current
2mm x 2mm MLP
APPLICATIONS
DC - DC Converters
Charging Circuits
Power switches
ORDERING INFORMATION
Motor control
DEVICE MARKING
SC
ZXTCM322
ISSUE 2 - JUNE 2002
1
MPPS Miniature Package Power Solutions
50V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR
2mm x 2mm Single MLP
underside view
PINOUT
DEVICE
REEL
TAPE
WIDTH
8mm
8mm
QUANTITY
PER REEL
3000
10000
ZXTCM322TA
ZXTCM322TC
7
13
2mm x 2mm MLP
(single die)
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PDF描述
ZXTD3M832
ZXTDBM832
ZXTDBM832TA TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
ZXTDBM832TC TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
ZXTDCM832TC TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
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參數(shù)描述
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ZXTD09N50DE6TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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