參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMC4559DN8(2)
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大小： 287K
代理商： ZXMC4559DN8(2)
ZXMC4559DN8
ISSUE 1 - SEPTEMBER 2002
8
0.1
-V
DS
Drain-SourceVoltage(V)
1
10
0.01
0.1
1
10
0.1
-V
DS
Drain-SourceVoltage(V)
1
10
0.01
0.1
1
10
1
2
3
4
0.1
1
10
-50
0
50
100
150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1
1
10
0.1
1
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1
10
10V
1.5V
3.5V
-V
GS
2.5V
4.5V
3V
OutputCharacteristics
T=25°C
-V
GS
-
D
D
2V
3.5V
3V
2.5V
2V
4.5V
10V
OutputCharacteristics
T=150°C
-
D
D
TypicalTransferCharacteristics
-V
DS
=10V
T=25°C
T=150°C
-
D
D
-V
GS
Gate-SourceVoltage(V)
NormalisedCurvesvTemperature
R
DS(on)
V
GS
=-10V
I
D
=-3.5A
V
GS(th)
V
GS
=V
I
D
=-250uA
N
D
a
G
Tj JunctionTemperature(°C)
4.5V
10V
3V
4V
3.5V
2.5V
On-ResistancevDrainCurrent
T=25°C
-V
GS
R
D
D
(
-I
DrainCurrent(A)
T=150°C
T=25°C
Source-DrainDiodeForwardVoltage
-V
Source-DrainVoltage(V)
-
S
R
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMHC6A07T8(1)
ZXMHC6A07T8(2)
ZXMP62M832(1)
ZXRD1050PQ16TA IC-SM-DC/DC CONTROLLER
TD5C060-45 16 MACROCELL CMOS PLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMC4559DN8TA 功能描述:MOSFET Comp. 60V NP-Chnl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMC4559DN8TC 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
ZXMC4A16DN8 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMC4A16DN8TC 功能描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
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