參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMC4559DN8(2)
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： ZXMC4559DN8(2)
ZXMC4559DN8
ISSUE 1 - SEPTEMBER 2002
2
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to Ambient (a)(d)
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JA
100
°C/W
Junction to Ambient (b)(e)
69
°C/W
Junction to Ambient (b)(d)
58
°C/W
THERMAL RESISTANCE
Notes
(a) For a dual device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with coverage of single sided 1oz copper in still air conditions.
(b) For a dual device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.05 pulse width=10μs - pulse width limited by maximum junction temperature.
(d) For a device with one active die.
(e) For device with 2 active die running at equal power.
PARAMETER
SYMBOL
N-Channel P-Channel
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DSS
V
GS
I
D
60
-60
V
Gate-Source Voltage
20
20
V
Continuous Drain Current@V
GS
=10V; T
A
=25 C (b)(d)
@V
GS
=10V; T
A
=25 C (b)(d)
@V
GS
=10V; T
A
=25 C (a)(d)
Pulsed Drain Current (c)
4.7
3.7
3.6
-3.5
-2.8
-2.6
A
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
17
-12.6
A
Continuous Source Current (Body Diode)(b)
3.4
-3.2
A
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
17
-12.6
A
Power Dissipation at TA=25°C (a)(d)
Linear Derating Factor
1.25
10
W
mW/°C
Power Dissipation at TA=25°C (a)(e)
Linear Derating Factor
P
D
1.8
14
W
mW/°C
Power Dissipation at TA=25°C (b)(d)
Linear Derating Factor
P
D
2.1
17
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
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PDF描述
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參數(shù)描述
ZXMC4559DN8TA 功能描述:MOSFET Comp. 60V NP-Chnl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMC4559DN8TC 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
ZXMC4A16DN8 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMC4A16DN8TC 功能描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
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