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參數(shù)資料
| 型號： | Z90T366PZ016SCRXXXX |
| 英文描述： | SCR Thyristor; Thyristor Type:Standard Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:800V; On-State RMS Current, IT(rms):6A; Peak Non Repetitive Surge Current, Itsm:100A; Gate Trigger Current Max, Igt:15mA RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 119/187頁 |
| 文件大?。?/td> | 2235K |
| 代理商： | Z90T366PZ016SCRXXXX |
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Z90T366 ROM and Z90T361 OTP
eZVision 64 KWord Television Controller with OSD
PS005901-1100
111
Result:
Accumulator contains
020400h
This example uses one word of memory and executes in one machine cycle. The
data in RAM Bank1, referenced by RAM pointer 0, is stored in the specified
accumulator using an
AND
instruction
123456h.AND.874600h = 020400h.
Example 2
AND A, <memind>
Initialization:
Accumulator contains
123400h
P0:0 contains
45h
RAM Bank0: 45h contains
047Ah
ROM Address:
04
7Ah contains
8746h
Instruction:
AND A, @@P0:0
Result:
A contains
020400h
P0:0 contains
45h
RAM Bank0: 45h
contains
247Bh
This example uses one word of memory and executes in three machine cycles.
The pointer
P0:0
contains the RAM register location (
45h
). The contents of this
register has a ROM address. This address refers to the ROM data that is placed
in the specified accumulator by an
AND
instruction
123400h.AND.874600h =
020400h
. With memory-indirect addressing, the ROM address is automatically
incremented. This provides a convenient method to access sequential data. Using
AND A, @@P0:0+
performs the same operation and also increments the
P0:0
content to
46h
.
Example 3
AND A, <limm>
Initialization:
Accumulator contains
362400h
Instruction:
AND A, #%1234
Result:
Accumulator contains
122400h
This example uses two words of memory and executes in two machine cycles.
The immediate operand
1234h
and an accumulator address are processed with
an
AND
instruction to produce the result,
362400h.AND.123400h = 122400h
.
Example 4
AND A, <simm>
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