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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | YG855C12R |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 544K |
| 代理商： | YG855C12R |
4
5
YG855C12R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
1
10
100
1000
10
100
1000
Surge Current Ratings (max.)
IF
SM
Pe
ak
H
Al
f-W
av
eC
ur
re
nt
(A
)
tTime (ms) Sinewave
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
Rth(j-c):2.5°C/W
Transient Thermal Impedance (max.)
Tr
an
si
en
tT
he
rm
al
Im
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
t Time (sec)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG865C08R | 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C06R | 30 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C08R | 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C10R | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C20R | 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| YG855C15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG858C12R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG858C15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG861S12R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG861S15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
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