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參數(shù)資料
| 型號： | YG855C12R |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 544K |
| 代理商： | YG855C12R |
2
YG855C12R
3
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
Outline Drawings [mm]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG865C08R | 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C06R | 30 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C08R | 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C10R | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C20R | 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| YG855C15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG858C12R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG858C15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG861S12R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG861S15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
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