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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XP1554 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | XP1554 |
XP01507
2
SJJ00148BED
0
160
40
120
80
0
250
100
200
50
150
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
2.0 mA
1.8 mA
1.0 mA
0.8 mA
0.6 mA
0.4 mA
0.2 mA
0
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
120
100
80
60
40
20
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
600
500
400
300
200
100
1
10
100
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
–25
°
C
1
10
100
0
40
80
120
200
160
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
1
10
100
0
5
4
3
2
1
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
P
T
T
a
I
C
V
CE
I
C
V
BE
C
ob
V
CB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XP01554(XP1554) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP01501(XP1501) | Composite Device - Composite Transistors |
| XP01504(XP1504) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP01507(XP1507) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP01601 | Composite Device - Composite Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XP1601 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP(PNP) epitaxial planer transistor |
| XP161 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| XP161A01A8PR | 制造商:TOREX 制造商全稱:Torex Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOS FET |
| XP161A02A1PR | 制造商:TOREX 制造商全稱:Torex Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOS FET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics. |
| XP161A0390PR | 制造商:TOREX 制造商全稱:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOS FET |
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