參數(shù)資料
型號： XN09D57
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD)
中文描述： 2500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 101K
代理商： XN09D57
XN09D57
3
SJJ00245CED
Characteristics charts of Tr
C
ob
V
CB
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of SBD
I
F
V
F
I
R
T
a
C
t
V
R
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
2
4
6
8
T
a
=
25
°
C
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
B
=
300
μ
A
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
50
μ
A
I
C
/ I
B
=
50
C
C
Collector current I
C
(A)
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
=
2 V
F
F
Collector current I
C
(A)
0.01
0.1
1
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
10
100
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
0
4
8
12
16
C
o
0
0.4
0.8
1.2
0
0.4
0.8
1.2
F
F
Forward voltage V
F
(V)
T
a
=
85
°
C
25
°
C
25
°
C
1
10
0
20
40
60
80
R
R
Ambient temperature T
a
(
°
C)
V
R
=
20 V
10
2
10
4
10
3
0
10
20
1
000
10
Reverse voltage V
R
(V)
T
t
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
100
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