參數(shù)資料
型號： XN09D57
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD)
中文描述： 2500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 101K
代理商： XN09D57
XN09D57
2
SJJ00245CED
Common characteristics chart
P
T
T
a
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr (continued)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
40
pF
Transition frequency
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
180
MHz
Turn-on time
t
on
Refer to the switching time measurement circuit
35
ns
Storage time
t
stg
t
off
110
ns
Turn-off time
10
ns
SBD
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
I
F
=
1 A
V
R
=
20 V
V
R
=
0, f
=
1 MHz
0.45
V
Reverse current
I
R
C
t
200
μ
A
Terminal capacitance
100
pF
Switching time measurement circuit
470
μ
F
V
CC
=
5 V
R
L
Output
Input
R
B
I
B2
I
B1
20I
B1
=
20I
B2
=
I
C
=
1.5 A
PW
=
20
μ
s
DC
≤
1%
0
200
400
600
0
40
80
120
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 Measuring methods for diodes.
2. Schottky barrier diode is frail with static electricity, and it should be kept in safety from shock of static electricity and static
electricity level.
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參數(shù)描述
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XN09D58 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD)
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