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參數(shù)資料
| 型號： | WED9LC6816V1612BC |
| 廠商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 13/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 324K |
| 代理商： | WED9LC6816V1612BC |
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WED9LC6816V
20
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
September, 2003
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 12 SDRAM READ & WRITE CYCLE WITH AUTO PRECHARGE @
BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Qa1
Qa0
Qa2
Qa3
Db2
Db0
Db1
Db3
Qa0
Qa3
Qa1
Qa2
Db2
Db0
Db1
Db3
Ra
Rb
Ca
Cb
Ra
Rb
SDCLK
CL=2
CL=3
DQ
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
DON’T CARE
SDCE#
SDRAS#
SDCAS#
ADDR
BA0, 1
[A12,A13]
SDWE#
SDA10
BWE#
NOTES:
1. tCDL should be controlled to meet minimum tRAS before internal precharge start.
(In the case of Burst Length = 1 & 2 and BRSW mode)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS128K32V-35G2TCA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQMA68 |
| W3DG6463V10D2-M | 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168 |
| WF128K32-150HSM | 512K X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 150 ns, CHIP66 |
| WF128K32-200HSC | 512K X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WS1M32-25G4DC | 4M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, QMA68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6816V1612BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2010BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2012BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V2012BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
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