參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6816V1310BI
廠商： WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 8/26頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： WED9LC6816V1310BI
WED9LC6816V
16
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
September, 2003
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 8 SDRAM PAGE READ & WRITE CYCLE AT SAME BANK @
BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
SDCK
SDRAS#
SDWE#
BWE#
SDCAS#
ADDR
Ra
Ca0
Cb0
Cd0
Cc0
BA0, 1
[A12,A13]
SDA10
Ra
CL=2
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Qb2
Dd0
Dc0
Dc1
Dd1
tRDL
CL=3
DQ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Dd0
Dc0
Dc1
Dd1
tCDL
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
DON’T CARE
tRCD
SDCE#
Note 2
Note 3
Note 1
NOTES:
1.
To write data before burst read ends. BWE# should be asserted three cycle prior to write command to avoid bus contention.
2.
Row precharge will interrupt writing. Last data input, tRDL before Row precharge will be written.
3.
BWE# should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be
masked internally.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WED3DG6435V10D1 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA144
WED3DG644V7D1I-MG 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144
WF128K16-120CM5 128K X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, DMA40
WS1M32-45G4DM 4M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 45 ns, QMA68
WMF2M8-150DLI5 2M X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, CDSO44
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED9LC6816V1312BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1312BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1510BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1510BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1512BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
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