參數(shù)資料
型號： W9425G6JB-5
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： DDR DRAM, PBGA60
封裝： 8 X 13 MM, ROHS COMPLIANT, TFBGA-60
文件頁數(shù)： 45/50頁
文件大?。?/td> 852K
代理商： W9425G6JB-5
W9425G6JB
Publication Release Date: Oct. 08, 2010
- 5 -
Revision A01
3. KEY PARAMETERS
SYMBOL
DESCRIPTION
MIN./MAX.
-5
tCK
Clock Cycle Time
CL = 2
Min.
7.5 nS
Max.
12 nS
CL = 2.5
Min.
6 nS
Max.
12 nS
CL = 3
Min.
5 nS
Max.
12 nS
tRAS
Active to Precharge Command Period
Min.
40 nS
tRC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
55 nS
IDD0
Operating Current: One Bank Active-Precharge
Max.
65 mA
IDD1
Operating Current: One Bank Active-Read-Precharge
Max.
80 mA
IDD4R
Burst Operation Read Current
Max.
120 mA
IDD4W
Burst Operation Write Current
Max.
115 mA
IDD5
Auto Refresh Current
Max.
65 mA
IDD6
Self Refresh Current
Max.
2 mA
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