參數(shù)資料
型號(hào)： W9412G2IB-4
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LFBGA-144
文件頁數(shù)： 49/50頁
文件大小： 826K
代理商： W9412G2IB-4
W9412G2IB
Publication Release Date: Aug. 30, 2010
- 8 -
Revision A06
BALL DESCRIPTION, continued
BALL LOCATION PIN NAME
FUNCTION
DESCRIPTION
D4,D6,D7,D9,
E5~E8,F5~F8,G5~
G8,H5~H8,J5~J8,K
4,K9
VSS
Ground
Ground for logic circuit inside DDR SDRAM.
B2,B4,B6,B7,
B9,B11,D2,D11,E3,
E10,F3,F10,H3,H10
,J3,J10
VDDQ
Power ( + 2.5V ) for
I/O buffer
Separated power from VDD, used for output buffer, to
improve noise immunity.
A3,A10,C3~C5,
C8~C10,D5,D8,E4,
E9,F4,F9,G4,G9,H4
,H9,J4,J9
VSSQ
Ground for I/O
buffer
Separated ground from VSS, used for output buffer, to
improve noise immunity.
B3,B10,G3,G10,K1
1,K12,L2,L3,L12,M
2
NC
No Connection
No connection
K8,L9
RFU
No Connection
Reserved for Future Use.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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