- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄245657 > W39F010Q-70 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 128K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W39F010Q-70 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 14 MM, STSOP-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/26頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 336K |
| 代理商： | W39F010Q-70 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)當(dāng)前第26頁(yè)
W39F010
Publication Release Date: June 17, 2002
- 9 -
Revision A2
Embedded Programming Algorithm
Start
Write Program Command Sequence
(see below)
Increment Address
Programming Completed
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/A0H
Program Address/Program Data
#Data Polling/ Toggle bit
Last Address
?
No
Yes
Program Command Sequence (Address/Command):
Pause T BP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WED3DG6464V75D2 | 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168 |
| W3E16M64S-250BC | 16M X 64 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA219 |
| WE128K8-250CM | EEPROM 5V MODULE, CDIP32 |
| W25Q64BVSSIG | 8M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| WE128K8-250CCA | EEPROM 5V MODULE, CDIP32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W39F010Q-70B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:128K 】 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W39F010Q-90B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:128K 】 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W39F010T-70B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:128K 】 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W39F010T-90B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:128K 】 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W39J_4TGA WAF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。