參數(shù)資料
型號(hào)： W19B320ATT7L
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 42/53頁(yè)
文件大?。?/td> 479K
代理商： W19B320ATT7L
W19B320AT/B
Publication Release Date: December 27, 2005
- 47 -
Revision A4
9.11 DQ 2 vs. DQ6 Waveform
#WE
Erase Suspend
DQ2
DQ6
Enter
Embedded
Erasing
Read
Erase
Suspend
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase Suspend
Read
Erase
Resume
Complete
Note:
DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The sysytem may use #OE or #CE to
toggle DQ2 and DQ6.
9.12 Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
T RSP
TVIDR
V IL
VSS
IH
V
or
, ,
T RRB
TVIDR
V IL
VSS
IH
V
or
, ,
VID
Program or Erase Command Sequence
#RESET
#CE
#WE
RY/#BY
9.13 Sector/Sector Block Protect and Unprotect Timing Diagram
DATA
Valid*
A1,A0
SA,A6,
#RESET
*For sector protect,A6=0,A1=1,A0=0.For sector unprotect ,A6=1,A1=1,A0=0
Sector/Sector Block Protect:150
μs,
Sector/Sector Block Unprotect:15ms
1 μs
Sector/sector Block Protect or Unprotect
V ID
VIH
60h
Valid*
40h
Verify
Status
#CE
#WE
#OE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W25Q128BVCAP 128M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PBGA24
WE128K32-250HSQ 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CHIP66
WS512K32-100CJM 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQCC68
WMYP64K32V-8TQMA 64K X 32 CACHE SRAM, 8 ns, CQFP100
WE512K8-200CQ 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CDIP32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W19B320B 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory
W19B320BB 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory
W19B320BB-H 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations
W19B320BB-M 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations
W19B320BT 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory
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