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參數(shù)資料
| 型號： | W19B320ATT7L |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 20/53頁 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ATT7L |
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W19B320AT/B
Publication Release Date: December 27, 2005
- 27 -
Revision A4
7.5.2
Device Geometry Definition
DESCRIPTION
ADDRESS
(WORD
MODE)
DATA
ADDRESS
(BYTE
MODE)
Device size =2N bytes
27h
0016h
4Eh
Flash device interface description (refer to CFI publication 100)
28h
29h
0002h
0000h
50h
52h
Max. number of bytes in multi-byte write=2N (00h=not supported)
2Ah
2Bh
0000h
54h
56h
Number of Erase Block Regions within devices
2Ch
0002h
58h
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100 )
2Dh
2Eh
2Fh
30h
0007h
0000h
0020h
0000h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
Erase Block Region 2 Information
31h
32h
33h
34h
003Eh
0000h
0001h
62h
64h
66h
68h
Erase Block Region 3 Information
35h
36h
37h
38h
0000h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
Erase Block Region 4 Information
39h
3Ah
3Bh
3Ch
0000h
72h
74h
76h
78h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q128BVCAP | 128M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PBGA24 |
| WE128K32-250HSQ | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CHIP66 |
| WS512K32-100CJM | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQCC68 |
| WMYP64K32V-8TQMA | 64K X 32 CACHE SRAM, 8 ns, CQFP100 |
| WE512K8-200CQ | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CDIP32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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