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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W19B320ABBBG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 35/53頁 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ABBBG |
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W19B320AT/B
- 40 -
8.8 Erase and Program Operation
70ns
PARAMETER
SYM.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Write Cycle Timing (Note 1)
TWC
70
-
ns
Address setup Time
TAS
0
-
ns
Address Setup Timing to
#OE low during toggle bit
polling
TASO
15
-
ns
Address Hold Time
TAH
45
-
ns
Address Hold Time From
#CE or #OE high during
toggle bit polling
TAHT
0
-
ns
Data Setup Time
TDS
35
-
ns
Data Hold Time
TDH
0
-
ns
Output Enable High During toggle bit polling
TOEPH
20
-
ns
Read Recovery Time Before Write (
#OE High to
#WE Low)
TGHWL
0
-
ns
#CE Setup Time
TCS
0
-
ns
#CE HOLD Time
TCH
0
-
ns
Write Pulse Width
TWP
30
-
ns
Write Pulse Width High
TWPH
30
-
ns
Latency Between Read and Write Operation
TSR/W
0
-
ns
Byte
TPB
5
-
μs
Programming Time (Note 2)
Word
TPW
7
-
μs
Byte
Accelerated Programming Time (Noe2)
Word
TACCP
4
-
μs
Sector Erase Time (Note 2)
TSE
-
0.4
-
sec
VDD Setup Time (Note 1)
TVCS
50
-
μs
Write Recovery Time from
RY/#BY
TRB
0
-
ns
Program/Erase Valid to
RY/#BY Delay
TBUSY
90
-
ns
Notes:
1.
Not 100 % tested
2.
See the “Alternate #CE Controlled Erase and Program Operations“ section for more information
8.9 Temporary Sector Unprotect
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
VID Rise and Fall Time
TVIDR
500
-
ns
VHH Rise and Fall Time
TVHH
250
-
ns
#RESET Setup Time for Temporary Sector Unprotect
TRSP
4
-
μs
#RESET Hold Time from RY/#BY High for Temporary
Sector Unprotect
TRRB
4
-
μs
Note:
Not 100 % tested
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25X20-VSSI-G | 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| WS-512K8-70PI | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, DMA32 |
| WS512K32-85G4TQ | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CQFP68 |
| WMS512K8B-25FECEA | 512K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CDFP32 |
| WMS512K8B-25FEIE | 512K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CDFP32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19B320ABT7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W19B320ATB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M × 8/2M × 16 BITS 3V FLEXIBLE BANK FLASH MEMORY |
| W19B320ATB7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W19B320ATT7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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