參數(shù)資料
型號(hào)： VVZB120
廠商： IXYS Corporation
英文描述： Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System
中文描述： 三相半控整流橋制動(dòng)系統(tǒng)的IGBT和快速恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 76K
代理商： VVZB120
2000 IXYS All rights reserved
2 - 3
VVZB 120
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
I
R
, I
D
V
R
= V
RRM
/V
DRM
,
V
R
= V
RRM
/V
DRM
, T
VJ
= 150°C
0.3
mA
mA
5
V
F
, V
T
I
F
= 100 A,
1.47
V
V
T0
r
T
For power-loss calculations only
T
VJ
= 150°C
0.85
V
5 m
V
GT
V
D
= 6 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
1.5
1.6
100
200
V
V
I
GT
V
D
= 6 V;
mA
mA
V
GD
I
GD
T
VJ
= T
VJM
; V
D
=
2
/
3
V
DRM
T
VJ
= T
VJM
; V
D
=
2
/
3
V
DRM
0.2
10
V
mA
I
L
V
D
= 6 V; t
= 30 μs
di
G
/dt = 0.45 A/μs; I
G
= 0.45 A
450
mA
I
H
T
VJ
= T
VJM
; V
D
= 6 V; R
GK
=
200
mA
t
gd
V
D
= V
di
G
/dt = 0.45 A/μs; I
G
= 0.45 A
2
μs
t
q
T
= T
; V
= 100 V; V
=
2
/
V
; t
= 200 μs
dv/dt = 10 V/μs; I
T
= 120 A; -di/dt = 10 A/μs
150
μs
Q
S
I
RM
T
= T
-di/dt = 0.64 A/μs; I
T
/I
F
= 50 A
90
11
μC
A
R
thJC
R
thJH
V
BR(CES)
V
GE(th)
per thyristor / diode; sine 120° el.
per thyristor / diode; sine 120° el.
1 K/W
1.3 K/W
V
GS
= 0 V, I
C
= 1 mA
I
C
= 10 mA
1200
V
V
5
8
I
GES
V
GE
= 20 V
500
nA
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
,T
VJ
=
150°C
0.5
mA
mA
3
V
CEsat
V
GE
= 15 V, I
C
= 50 A
3.35
V
t
SC
(SCSOA)
V
GE
= 15 V, V
= 0.6 V
, T
VJ
=
125°C,
R
G
= 11 , non repetitive
10
μs
RBSOA
V
GE
= 15 V, V
= 0.8 V
, T
=
125°C,
R
G
= 11 , Clamped Inductive load, L = 100 μH
100
A
C
ies
V
CE
= 25 V, f = 1 MHz, V
GE
= 0 V
9
nF
t
d(on)
t
d(off)
t
ri
t
fi
E
on
E
off
65
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
200
tbd
tbd
4.1
5.7
R
thJC
R
thJH
0.32 K/W
0.45 K/W
I
R
V
CE
= 0.6 V
, I
= 25 A
V
= 15 V, R
= 11
Inductive load; L = 100 μH
T
VJ
=
125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VVZB120-12IO1 Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System
VVZB120-14IO1 CBE TA45-ABDWF150C0
VVZB120-16IO1 Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System
VVZB135 Three Phase Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System
VW2010 MPEG-1, -2, -4 Audio/Video CODEC Chip
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VVZB120-12IO1 功能描述:RECT BRIDGE 3PH 120V 1200V V2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
VVZB120-12io2 功能描述:橋式整流器 120 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長(zhǎng)度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
VVZB120-14IO1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System
VVZB120-16IO1 功能描述:RECT BRIDGE 3PH 120V 1600V V2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
VVZB120-16io2 功能描述:橋式整流器 120 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長(zhǎng)度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
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