參數(shù)資料
型號(hào)： VS46417801BTG-10
廠商： VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8 ns, DMA168
封裝： DIMM-168
文件頁(yè)數(shù)： 14/30頁(yè)
文件大小： 295K
代理商： VS46417801BTG-10
Document:1G5-0134
Rev.2
Page 6
VIS
VS26417801B,VS46417801B
2M,4MX64-Bit
SDRAM Module
Absolute Maximum Ratings
Recommended DC Operating Conditions
Note 1. Overshoot limit: VIH(max.)= VDD + 2.0V with a pulse width < 3ns
2. Undershoot limit: VIL=VSS - 2.0V with a pulse < 3ns and -1.5V with a pulse < 5ns
Capacitance
Ta = 25°C,f = 1MHZ
Parameter
Symbol
Value
Unit
Voltage on any pin relative to Vss
VIN,VOUT
-1.0 to + 4.6
V
Supply voltage relative to Vss
VDD
-1.0 to + 4.6
V
Short circuit iotput current
IOUT
50
mA
Power dissipation
PD
2Mx64
8
W
4Mx64
16
Operating temperature
TOPT
0 to + 70
°C
Storage temperature
TSTG
-55 to + 125
°C
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Supply Voltage
VDD
3.0
3.3
3.6
V
Input High Voltage, all inputs
VIH
2.0
-
VDD + 0.3
V
1
Input Low Voltage, all inputs
VIL
-0.3
-
0.8
V
2
Parameter
Symbol
Size
Type
Max
Unit
Input capacitance (Address, RAS, CAS, WE)
C11
2M x 64
4M x 64
-
50
85
pF
Input capacitance (CS0 ~ CS3)
C12
2M x 64
4M x 64
-
25
pF
Input capacitance (CKE0, CKE1)
C13
2M x 64
4M x 64
-
50
pF
Input capacitance (CLK0~CLK3)
C14
2M x 64
4M x 64
-
25
30
pF
Input capacitance(DQMB0 ~ DQMB7)
C15
2M x 64
4M x 64
-
15
22
pF
Input capacitance(DQ0 ~ DQ63)
C16
2M x 64
4M x 64
-
14
20
pF
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PDF描述
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