參數(shù)資料
型號： VP0550
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-500V,125Ω，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應管)
中文描述： P通道增強模式垂直的DMOS場效應管（擊穿電壓- 500V及125Ω，P溝道增強型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： VP0550
7-243
9
7
Typical Performance Curves
VP0550
Output Characteristics
0
-10
-20
V
DS
(volts)
-30
-50
-40
Saturation Characteristics
0
-2
-4
V
DS
(volts)
-6
-10
-8
Maximum Rated Safe Operating Area
-1
-1000
-100
-10
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Transconductance vs. Drain Current
100
80
60
40
20
0
(
Power Dissipation vs. Case Temperature
0
150
100
50
125
75
25
-100
-80
-60
-40
-20
0
TO-92
10
0.001
0.01
0.1
1.0
T
A
= -55
°
C
V
V
DS
= -25V
T
A
= 25
°
C
T
A
= 150
°
C
0
VGS
= -10V
VGS
= -10V
-5V
-8V
0
-1.0
-0.1
-0.01
-0.001
5
4
3
2
1
0
-0.3
-0.5
-0.4
-0.1
-0.2
0
-7V
-6V
-5V
-4V
-8V
-6V
-0.05
-0.10
I
D
(amperes)
-0.15
-0.25
-0.20
TO-92(DC)
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25
°
C
TC = 25
°
C
I
D
I
D
G
F
T
C
(
°
C)
P
D
V
DS
(volts)
I
D
t
p
(seconds)
相關PDF資料
PDF描述
VP0550 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP0550N3 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP0610E TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 110MA I(D) | TO-206AC
VP0610L P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VP0610L P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-60V，夾斷電流-0.18A的P溝道增強型MOSFET晶體管)
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VP0550N3 功能描述:MOSFET 500V 125Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VP0550N3-G 功能描述:MOSFET 500V 125Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VP0550N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VP0550N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VP0550N3-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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