參數(shù)資料
型號(hào)： VNV10N07
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 熱敏電阻
英文描述： SENSOR, MINIATURE, NTC, 5K; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:5kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3988; Temperature, lower limit, beta value:-40(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); RoHS Compliant: Yes
中文描述： “OMNIFET”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大?。?/td> 159K
代理商： VNV10N07
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Output Capacitance
V
DS
= 13 V
I
D
= 5 A
6
8
S
C
oss
VDS = 13 V
f = 1 MHz
V
in
= 0
350
500
pF
SWITCHING (**)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
V
gen
= 10 V
(see figure 3)
I
d
= 5 A
R
gen
= 10
50
80
230
100
100
160
400
180
ns
ns
ns
ns
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
V
gen
= 10 V
(see figure 3)
I
d
= 5 A
R
gen
= 1000
600
0.9
3.8
1.7
900
2
6
2.5
ns
μ
s
μ
s
μ
s
A/
μ
s
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
V
DD
= 15 V
V
in
= 10 V
V
DD
= 12 V
I
D
= 5 A
R
gen
= 10
I
D
= 5 A
60
Q
i
Total Input Charge
V
in
= 10 V
30
nC
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
SD
(
)
t
rr
(
)
Forward On Voltage
I
SD
= 5 A
V
in
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 25
o
C
1.6
V
Q
rr
(
)
I
RRM
(
)
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 5 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, figure 5)
125
0.3
4.8
ns
μ
C
A
PROTECTION
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
lim
Drain Current Limit
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
7
7
10
10
14
14
A
A
μ
s
μ
s
o
C
t
dlim
(
)
Step Response
Current Limit
20
50
30
80
T
jsh
(
)
Overtemperature
Shutdown
Overtemperature Reset
150
T
jrs
(
)
I
gf
(
)
135
o
C
Fault Sink Current
V
in
= 10 V
V
in
= 5 V
starting T
j
= 25
o
C
V
in
= 10 V
V
DS
= 13 V
V
DS
= 13 V
50
20
mA
mA
E
as
(
)
Single Pulse
Avalanche Energy
V
DD
= 20 V
L = 10 mH
R
gen
= 1 K
0.4
J
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Parameters guaranteed by design/characterization
VNB10N07-VNK10N07FM-VNP10N07FI-VNV10N07
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNV20N07 ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNV28N04 ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW100N04 ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW35NV04 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04A THERMISTOR, NTC; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:100kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:4540; Temperature, lower limit, beta value:25(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNV10N0713TR 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNV10N07-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNV10N07TR-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNV14N04 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 42V 14A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNV14N04-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 42V 14A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
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