- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359407 > VNS7NV0413TR (意法半導(dǎo)體) THERMISTOR, PTC; Series:B598; Thermistor type:PTC; Resistance:6R; Tolerance, resistance:+/-25%; Temp, op. max:125(degree C); Voltage, operating:160V; Case style:Radial; Current, tripping:0.8A; Diameter, body:17.5mm; Length, RoHS Compliant: Yes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | VNS7NV0413TR |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | 熱敏電阻 |
| 英文描述： | THERMISTOR, PTC; Series:B598; Thermistor type:PTC; Resistance:6R; Tolerance, resistance:+/-25%; Temp, op. max:125(degree C); Voltage, operating:160V; Case style:Radial; Current, tripping:0.8A; Diameter, body:17.5mm; Length, RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 16/29頁 |
| 文件大小： | 488K |
| 代理商： | VNS7NV0413TR |
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VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1
SOT-223 PC Board
R
thj-amb
Vs PCB copper area in open box free air condition
SOT-223 THERMAL DATA
Layout condition of R
and Z
measurements (PCB FR4 area= 58mm x 58mm, PCB thickness=2mm,
Cu thickness=35
μ
m, Copper areas: 0.11cm
2
, 1cm
2
, 2cm
2
).
60
70
80
90
100
110
120
130
140
0
0.5
1
Cu area (cm^2)
1.5
2
2.5
RTH j-amb (°C/W)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNT008D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB |
| VNS008D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB |
| VNS009D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
| VNT009D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
| VNV10N07 | SENSOR, MINIATURE, NTC, 5K; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:5kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3988; Temperature, lower limit, beta value:-40(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VNS7NV04-E | 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VNS7NV04P-E | 功能描述:MOSFET OMNIFET II Low Side 60mOhm 6A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VNS7NV04PTR-E | 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 60mOhm 6A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VNS7NV04TR-E | 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VNSC-3-4U | 制造商:WINCHESTER 制造商全稱:Winchester Electronics Corporation 功能描述:TRI-LOC, SMPTE 304, PLUG PRE-POLISHED |
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