參數(shù)資料
型號： VNS3NV04DTR-E
廠商： 意法半導體
英文描述： OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
中文描述： OMNIFET二充分autoprotected功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/21頁
文件大?。?/td> 311K
代理商： VNS3NV04DTR-E
VNS3NV04D-E
Electrical specifications
7/21
2.2
Thermal data
Table 3.
2.3
Electrical characteristics
Values specified in this section are for -40°C< T
j
<150°C, unless otherwise stated.
Thermal data
Symbol
Parameter
Max value
Unit
R
thj-lead
Thermal resistance junction-lead (per channel)
30
°C/W
R
thj-amb
When mounted on a standard single-sided FR4 board with 50mm
2
of Cu (at least 35
μ
m thick) connected
to all DRAIN pins of the relative channel
Thermal resistance junction-ambient
80
(1)
1.
°C/W
Table 4.
Off
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CLAMP
Drain-Source clamp
voltage
V
IN
=0V; I
D
=1.5A
40
45
55
V
V
CLTH
Drain-Source clamp
threshold voltage
V
IN
=0V; I
D
=2mA
36
V
V
INTH
Input threshold
voltage
V
DS
=V
IN
; I
D
=1mA
0.5
2.5
V
I
ISS
Supply current from
input pin
V
DS
=0V; V
IN
=5V
100
150
μ
A
V
INCL
Input-Source clamp
voltage
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
6
-1.0
6.8
8
-0.3
V
I
DSS
Zero input voltage
drain current
(V
IN
=0V)
V
DS
=13V; V
IN
=0V; T
j
=25°C
V
DS
=25V; V
IN
=0V
30
75
μ
A
Table 5.
On
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
R
DS(on)
Static Drain-Source
On resistance
V
IN
=5V; I
D
=1.5A; T
j
=25°C
V
IN
=5V; I
D
=1.5A
120
240
m
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