參數(shù)資料
型號(hào)： VNS3NV04DTR-E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
中文描述： OMNIFET二充分autoprotected功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 12/21頁(yè)
文件大?。?/td> 311K
代理商： VNS3NV04DTR-E
Electrical specifications
VNS3NV04D-E
12/21
2.4
Electrical characteristics curves
Figure 9.
Source-Drain diode forward
characteristics
Figure 10.
Static Drain-Source On
resistance
Figure 11.
Derating curve
Figure 12.
Static Drain-Source On
resistance vs. Input voltage
Figure 13.
Static Drain-Source On
resistance Vs. Input voltage
Figure 14.
Transconductance
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Id (A)
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
Vsd (mV)
Vin=0V
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
Id(A)
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
Rds(on) (mohms)
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
Vin=2.5V
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Vin(V)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
Rds(on) (mohms)
Id=3.5A
Id=1A
Id=3.5A
Id=1A
Id=3.5A
Id=1A
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Vin(V)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
Rds(on) (mohms)
Id=1.5A
Tj=150oC
Tj=-40oC
Tj=25oC
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
Id (A)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Gfs (S)
Vds=13V
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
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PDF描述
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