參數(shù)資料
型號(hào)： VNS3NV04D-E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
中文描述： OMNIFET二充分autoprotected功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/21頁(yè)
文件大小： 311K
代理商： VNS3NV04D-E
Electrical specifications
VNS3NV04D-E
8/21
Electrical characteristics (continued)
(T
j
=25°C, unless otherwise specified)
Table 6.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
g
fs
(1)
Forward
transconductance
V
DD
=13V; I
D
=1.5A
5.0
S
C
OSS
Output capacitance
V
DS
=13V; f=1MHz; V
IN
=0V
150
pF
Table 7.
Switching
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
t
d(on)
Turn-on delay time
V
DD
=15V; I
D
=1.5A
V
gen
=5V; R
gen
=R
IN MIN
=220
(see
Figure 4
)
90
300
ns
t
r
Rise Time
250
750
ns
t
d(off)
Turn-off delay time
450
1350
ns
t
f
Fall time
250
750
ns
t
d(on)
Turn-on delay time
V
DD
=15V; I
D
=1.5A
V
gen
=5V; R
gen
=2.2 K
(see
Figure 4
)
0.45
1.35
μ
s
t
r
Rise time
2.5
7.5
μ
s
t
d(off)
Turn-off delay time
3.3
10.0
μ
s
t
f
Fall time
2.0
6.0
μ
s
(dI/dt)
on
Turn-on current slope
V
DD
=15V; I
D
=1.5A
V
gen
=5V; R
gen
=R
IN MIN
=220
4.7
A/
μ
s
Q
i
Total input charge
V
DD
=12V; I
D
=1.5A; V
IN
=5V
I
gen
=2.13mA (see
Figure 7
)
8.5
nC
Table 8.
Source Drain diode
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
SD(1)
1.
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
Forward On voltage
I
SD
=1.5A; V
IN
=0V
0.8
V
t
rr
Reverse recovery time
I
SD
=1.5A; dI/dt=12A/
μ
s
V
DD
=30V; L=200
μ
H
(see
Figure 5
)
107
ns
Q
rr
Reverse recovery
charge
37
μ
C
I
RRM
Reverse recovery
current
0.7
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNS3NV04D “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNS7NV04 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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VNT008D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB
VNS008D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB
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