參數(shù)資料
型號： VNS1NV0413TR
廠商： 意法半導體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/18頁
文件大?。?/td> 392K
代理商： VNS1NV0413TR
2/18
VND1NV04 / VNN1NV04 / VNS1NV04
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
CONNECTION DIAGRAM (TOP VIEW)
Symbol
Parameter
Value
SO-8
Unit
SOT-223
DPAK
V
DS
V
IN
I
IN
R
IN MIN
I
D
I
R
V
ESD1
Drain-source Voltage (V
IN
=0V)
Input Voltage
Input Current
Minimum Input Series Impedance
Drain Current
Reverse DC Output Current
Electrostatic Discharge (R=1.5K
, C=100pF)
Electrostatic Discharge on output pin only
(R=330
, C=150pF)
Total Dissipation at T
c
=25°C
Operating Junction Temperature
Case Operating Temperature
Storage Temperature
Internally Clamped
Internally Clamped
+/-20
330
Internally Limited
-3
4000
V
V
mA
A
A
V
V
ESD2
16500
V
P
tot
T
j
T
c
T
stg
7
8.3
35
W
°C
°C
°C
Internally limited
Internally limited
-55 to 150
DRAIN
INPUT
SOURCE
I
D
I
IN
V
IN
V
DS
R
IN
CURRENT AND VOLTAGE CONVENTIONS
(*) For the pins configuration related to SOT-223 and DPAK see outline at page 1.
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
INPUT
SOURCE
SOURCE
SOURCE
1
4
5
SO-8 Package (*)
相關PDF資料
PDF描述
VV6404 Mono and Colour Digital Video CMOS Image Sensors
VV6404C001 Mono and Colour Digital Video CMOS Image Sensors
VV6404C001-B2 WIRE
VN06(011Y) Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:White/Black; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-76C Type MW; Conductor Material:Copper; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC) RoHS Compliant: Yes
VN21(011Y) Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:White/Green; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-76C Type MW; Conductor Material:Copper; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC) RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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VNS1NV04D13TR 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS1NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS1NV04DP-E 功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS1NV04DPTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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