參數(shù)資料
型號： VNS14NV04
廠商： 意法半導體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/29頁
文件大?。?/td> 510K
代理商： VNS14NV04
3/29
VNB14NV04 / VND14NV04 / VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
THERMAL DATA
(*)
When mounted on a standard single-sided FR4 board with 0.5cm
2
of Cu (at least 35
μ
m thick) connected to all DRAIN pins.
Horizontal mounting and no artificial air flow.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(-40°C < T
j
< 150°C, unless otherwise specified)
OFF
ON
Symbol
Parameter
Value
TO-220
1.7
Unit
SO-8
DPAK
1.7
IPAK
1.7
D
2
PAK
1.7
R
thj-case
R
thj-lead
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-lead
Thermal Resistance Junction-ambient MAX
MAX
MAX
°C/W
°C/W
°C/W
27
90 (*)
65 (*)
62
102
52 (*)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
Drain-source Clamp
Threshold Voltage
Input Threshold Voltage
Supply Current from Input
Pin
Input-Source Clamp
Voltage
Zero Input Voltage Drain
Current (V
IN
=0V)
V
IN
=0V; I
D
=7A
40
45
55
V
V
CLTH
V
IN
=0V; I
D
=2mA
36
V
V
INTH
V
DS
=V
IN
; I
D
=1mA
0.5
2.5
V
I
ISS
V
DS
=0V; V
IN
=5V
100
150
μ
A
V
INCL
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
V
DS
=13V; V
IN
=0V; T
j
=25°C
V
DS
=25V; V
IN
=0V
6
-1.0
6.8
8
-0.3
30
75
V
I
DSS
μ
A
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
35
70
Unit
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
IN
=5V; I
D
=7A; T
j
=25°C
V
IN
=5V; I
D
=7A
m
1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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