參數(shù)資料
型號(hào)： VNQ830M13TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CLIP, RM10; Depth, external:4.8mm; Width, external:17mm RoHS Compliant: Yes
中文描述： 四通道高邊驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù)： 17/20頁(yè)
文件大?。?/td> 315K
代理商： VNQ830M13TR
17/20
VNQ830M
Thermal fitting model of a four channels HSD
in SO-28
Pulse calculation formula
Z
TH
δ
=
δ
=
Thermal Parameter
Area/island (cm
2
)
R1=R7=R13=R15 (°C/W)
R2=R8=R14=R16 (°C/W)
R3=R9 (°C/W)
R4=R10 (°C/W)
R5=R11 (°C/W)
R6=R12 (°C/W)
C1=C7=C13=C15 (W.s/°C)
C2=C8=C14=C16 (W.s/°C)
C3=C9 (W.s/°C)
C4=C10 (W.s/°C)
C5=C11 (W.s/°C)
C6=C12 (W.s/°C)
R17=R18 (°C/W)
0.5
0.15
0.8
4.5
11
15
5
0.0006
2.10E-03
6.00E-03
0.2
1.5
5
150
6
13
8
R
TH
δ
Z
THtp
1
δ
–
(
)
+
where
t
p
T
SO-28 Thermal Impedance Junction Ambient Single Pulse
0.01
0.1
1
10
100
1E-04 0.001
0.01
0.1
time(s)
1
10
100
1000
Zth(°C/W)
6 c m^ 2 / isla nd
3 c m ^ 2 / isl a nd
0 , 5 c m^ 2 / isla nd
One channel ON
Two channels ON
on same chip
Pd1
C1
R4
C3
C4
R3
R1
R6
R5
R2
C5
C6
C2
Pd2
R14
C13
C14
R13
Tj_1
Tj_2
T_amb
Pd3
C7
R10
C9
C10
R9
R7
R12
R11
R8
C11
C12
C8
Pd4
R16
C15
C16
R15
Tj_3
Tj_4
R17
R18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNQ830P QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VNQ830PEP QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VNQ860 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VNQ860SP QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VNS008A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-204AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNQ830M-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Quad Channel Hi-Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNQ830MTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Quad Channel Hi-Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNQ830P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VNQ830P-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Quad Ch HiSide Drivr RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNQ830PEP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
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