參數(shù)資料
型號(hào)： VNP28N04FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET)
中文描述： 充分Autoprotected功率MOSFET（全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 1/13頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： VNP28N04FI
VNP28N04FI
VNB28N04/VNV28N04
”O(jiān)MNIFET”:
FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
June 1998
BLOCK DIAGRAM (
)
TYPE
V
clamp
R
DS(on)
0.035
0.035
0.035
I
lim
VNP28N04FI
VNB28N04
VNV28N04
42 V
42 V
42 V
28 A
28 A
28 A
I
LINEAR CURRENT LIMITATION
I
THERMAL SHUT DOWN
I
SHORT CIRCUIT PROTECTION
I
INTEGRATED CLAMP
I
LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN
I
DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT
PIN
I
ESD PROTECTION
I
DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE
POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)
I
COMPATIBLE WITH STANDARD POWER
MOSFET
DESCRIPTION
The VNP28N04FI, VNB28N04 and VNV28N04
are
monolithic
devices
STMicroelectronics
VIPower M0
intended for replacement of standard power
MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in
thermal shut-down, linear current limitation and
overvoltage clamp protect the chip in harsh
made
using
Technology,
enviroments.
Fault feedbackcan be detected by monitoring the
voltageat the input pin.
1
10
PowerSO-10
1
2
3
1
3
D2PAK
TO-263
ISOWATT220
(
) PowerSO-10 Pin Configuration : INPUT = 6,7,8,9,10;SOURCE =1,2,4,5; DRAIN = TAB
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNP7N04FI "OMNIFET": Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET)
VNB10N07 Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET)
VNB20N07 Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET)
VND10N06 “OMNIFET ”：Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率ＭＯＳＦＥＴ)
VND10N06-1 “OMNIFET ”：Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率ＭＯＳＦＥＴ)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNP28N04FI-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 42V 28A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNP35N07 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 35A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNP35N07 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET PROTECTED TO-220
VNP35N07-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 35A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNP35N07FI 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 35A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
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