型號: | VNN1NV04 |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
中文描述: | “OMNIFET二”:充分AUTOPROTECTED功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 16/18頁 |
文件大?。?/td> | 392K |
代理商: | VNN1NV04 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
VNS1NV04 | “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
VNS3NV04 | “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
VND3NV04 | “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
VND3NV04-1 | “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
VV6411 | XTAL MTL T/H HC49/U |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
VNN1NV0413TR | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
VNN1NV04P-E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
VNN1NV04PTR-E | 功能描述:MOSFET 40V 1.7A OMNIFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VNN1NV04TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
VNN1NV04TR-E | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |