參數(shù)資料
型號(hào): VNN1NV0413TR
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述: “OMNIFET二”:充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 13/18頁(yè)
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代理商: VNN1NV0413TR
13/18
VND1NV04 / VNN1NV04 / VNS1NV04
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
1.75
0.068
a1
0.1
0.25
0.003
0.009
a2
1.65
0.064
a3
0.65
0.85
0.025
0.033
b
0.35
0.48
0.013
0.018
b1
0.19
0.25
0.007
0.010
C
0.25
0.5
0.010
0.019
c1
45 (typ.)
D
4.8
5.0
0.188
0.196
E
5.8
6.2
0.228
0.244
e
1.27
0.050
e3
3.81
0.150
F
3.8
4.0
0.14
0.157
L
0.4
1.27
0.015
0.050
M
0.6
0.023
F
8 (max.)
SO-8 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNS1NV0413TR “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VV6404 Mono and Colour Digital Video CMOS Image Sensors
VV6404C001 Mono and Colour Digital Video CMOS Image Sensors
VV6404C001-B2 WIRE
VN06(011Y) Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:White/Black; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-76C Type MW; Conductor Material:Copper; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC) RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNN1NV04P-E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN1NV04PTR-E 功能描述:MOSFET 40V 1.7A OMNIFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNN1NV04TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN1NV04TR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN3NV04 制造商:STMicroelectronics 功能描述:PWR SWIT LO SIDE 3.5A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube