參數(shù)資料
型號： VNN1NV0413TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 11/18頁
文件大?。?/td> 392K
代理商： VNN1NV0413TR
11/18
VND1NV04 / VNN1NV04 / VNS1NV04
Normalized
Temperature
Input
Threshold
Voltage
Vs.
Step Response Current Limit
Normalized
Temperature
Current
Limit
Vs.
Junction
5
10
15
20
25
30
35
Vdd(V)
1.9
2
2.1
2.2
2.3
2.4
Tdlim(us)
Vin=5V
Rg=330ohm
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (oC)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
Vinth (V)
Vds=Vin
Id=1mA
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (oC)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Ilim (A)
Vin=5V
Vds=13V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNS1NV0413TR “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VV6404 Mono and Colour Digital Video CMOS Image Sensors
VV6404C001 Mono and Colour Digital Video CMOS Image Sensors
VV6404C001-B2 WIRE
VN06(011Y) Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:White/Black; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-76C Type MW; Conductor Material:Copper; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC) RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNN1NV04P-E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN1NV04PTR-E 功能描述:MOSFET 40V 1.7A OMNIFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNN1NV04TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN1NV04TR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNN3NV04 制造商:STMicroelectronics 功能描述:PWR SWIT LO SIDE 3.5A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube
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