參數(shù)資料
型號： VND10N06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET ”：Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護(hù)功率ＭＯＳＦＥＴ)
中文描述： “OMNIFET”：充分Autoprotected功率MOSFET（全自動保護(hù)功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/14頁
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代理商： VND10N06
ABSOLUTE MAXIMUMRATING
Symbol
Parameter
Value
Unit
DPAK
IPAK
ISOWATT220
SOT82-FM
V
DS
Drain-source Voltage (V
in
= 0)
Internally Clamped
V
V
in
Input Voltage
Internally Clamped
±
20
Internally Limited
V
I
in
I
D
Input Current
mA
Drain Current
A
I
R
Reverse DC Output Current
-15
A
V
esd
Electrostatic Discharge (C= 100 pF,
R=1.5 K
)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Operating Junction Temperature
4000
V
P
tot
T
j
35
27
9
W
o
C
o
C
o
C
Internally Limited
T
c
Case Operating Temperature
Internally Limited
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
THERMAL DATA
DPAK/IPAK
ISOWATT220
SOT82-FM
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
3.5
4.5
14
o
C/W
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
100
62.5
100
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
Input Low Level
Voltage
Input High Level
Voltage
Input-Source Reverse
Clamp Voltage
I
D
= 200 mA
V
in
= 0
50
60
70
V
V
IL
I
D
= 100
μ
A
V
DS
= 16 V
1.5
V
V
IH
R
L
= 27
V
DS
= 0.5 V
I
in
= -1 mA
I
in
= 1 mA
V
DS
= 50 V
V
DS
< 35 V
V
DD
= 16 V
3.2
V
V
INCL
-1
8
-0.3
11
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
I
DSS
Zero Input Voltage
Drain Current (V
in
= 0)
V
in
= V
IL
V
in
= V
IL
250
100
I
ISS
Supply Current from
Input Pin
V
DS
= 0 V
V
in
= 5 V
150
300
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
in
= 7 V
I
D
= 1 A
T
J
< 125
o
C
0.15
0.3
VND10N06/VND10N06-1/VNP10N06FI/VNK10N06FM
2/14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND10N06-1 “OMNIFET ”：Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護(hù)功率ＭＯＳＦＥＴ)
VNN1NV0413TR “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNS1NV0413TR “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VV6404 Mono and Colour Digital Video CMOS Image Sensors
VV6404C001 Mono and Colour Digital Video CMOS Image Sensors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND10N06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET SMART SWITCH D-PAK
VND10N06-1 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND10N0613TR 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND10N06-1-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND10N06-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
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