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參數(shù)資料
| 型號： | VN2010L |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | VN2010L |
VN2010L/BS107
Vishay Siliconix
www.vishay.com
11-4
Document Number: 70215
S-04279
—
Rev. C, 16-Jul-01
Threshold Region
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
–
Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
–
Drain Current (A)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
–
Total Gate Charge (pC)
10
1
0.01
0
0.4
0.1
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
= 5 V
T
J
= 150 C
–
55 C
25 C
60
50
40
0
0
10
50
30
20
20
30
40
10
C
oss
C
iss
C
rss
V
GS
= 0 V
f
= 1 MHz
15.0
12.5
10.0
0
0
250
1250
7.5
5.0
500
750
1000
2.5
I
D
= 0.1 A
160 V
V
DS
= 100 V
0.01
0.1
1.0
100
10
1
50
20
5
2
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
1
100
10
1 K
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
I
D
–
C
–
V
G
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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