相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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VN1706L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 170V V(BR)DSS | 220MA I(D) | TO-92 |
VN1706M | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 170V V(BR)DSS | 330MA I(D) | TO-237 |
VN1710M | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 170V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-237 |
VN2001L | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
VN2010L | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓200V,夾斷電流0.19A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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VN2 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:Sensor, Conductive Level Probe, 2 Electrodes, Nylon, 2 Meter PVC Cable 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:2 electrode conductive level probe,960mm |
VN20 | 制造商:Square D by Schneider Electric 功能描述:SWITCH BODY 16A 制造商:Square D by Schneider Electric 功能描述:SWITCH BODY, 16A; For Use With:Square D Type V Loadbreak Switches ;RoHS Compliant: Yes |
VN2001L | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
VN2001L-TR1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 0.56A 3-Pin TO-226AA T/R |
VN2010L | 功能描述:MOSFET 200V 0.19A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |