參數(shù)資料
型號： VN16BSP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
中文描述： 標(biāo)準(zhǔn)高邊智能電源固態(tài)繼電器
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： VN16BSP
ABSOLUTE MAXIMUMRATING
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
Output Current (cont.) at T
c
= 85
o
C
I
OUT
(RMS) RMS Output Current at T
c
= 85
o
C
Reverse Output Current at T
c
= 85
o
C (f > 1Hz)
40
V
I
OUT
20
A
20
A
I
R
-20
A
I
IN
Input Current
±
10
-4
±
10
mA
-V
CC
I
STAT
Reverse Supply Voltage
V
Status Current
mA
V
ESD
Electrostatic Discharge (1.5 k
, 100 pF)
Power Dissipation at T
c
= 25
o
C
2000
V
P
tot
82
W
o
C
o
C
T
j
Junction Operating Temperature
-40 to 150
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
CONNECTION DIAGRAMS
CURRENT AND VOLTAGE CONVENTIONS
VN16BSP
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PDF描述
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VN16BSP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC HIGH SIDE FOR SSR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VN16BSPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC HIGH SIDE FOR SSR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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