參數(shù)資料
型號(hào)： VMO500-02F
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 500A I(D)
中文描述： 晶體管| MOSFET功率模塊|獨(dú)立| 200伏五（巴西）直| 500A（?。?/td>
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 155K
代理商： VMO500-02F
1999 IXYS All rights reserved
C3 - 19
C3
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one of the following U.S.patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ. max.
g
fs
V
DS = 10 V; ID = 0.5 ID25 pulsed
420
S
C
iss
57
nF
C
oss
V
GS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
10
nF
C
rss
3.7
nF
t
d(on)
210
ns
t
r
V
GS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 0.5 ID25
500
ns
t
d(off)
R
G = 1
900
ns
t
f
350
ns
Q
g
2500
nC
Q
gs
V
GS = 10 V, VDS = 100 V, ID = 200 A
450
nC
Q
gd
1200
nC
R
thJC
0.057 K/W
R
thJK
with 30 m heat transfer paste
0.085
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min.
typ. max.
I
S
V
GS = 0, TC = 25°C, TJ = TJM
500
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
2000
A
V
SD
I
F = 500 A; VGS = 0 V,
1
1.25
V
Pulse test, t ≤ 300 s, duty cycle d ≤ 2 %
t
rr
I
F = IS, -di/dt = 1200 A/s, VDS = 100 V
600
ns
VMO 500-02F
Additional current limitation by external leads
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VMO650-01F TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 690A I(D)
VMP-2R-1000B Analog IC
VMP-2R-10B Analog IC
VMP-2S-1500B Analog IC
VMP-2S-3000B Analog IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VMO550-01F 功能描述:MOSFET 550 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO580-02F 功能描述:MOSFET HiperFET 200V 580A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO60-05F 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO650-01F 功能描述:MOSFET 650 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO80-05P1 功能描述:MOSFET N-CH ECO-PAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
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