參數(shù)資料
型號(hào)： VG26V17400FJ-6
廠商： VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM
中文描述： 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO24
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
文件頁(yè)數(shù)： 1/25頁(yè)
文件大小： 209K
代理商： VG26V17400FJ-6
Document : 1G5-0142
Rev.1
Page 1
VIS
VG26(V)(S)17400E
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
Description
The device is CMOS Dynamic RAM organized as 4,194,304 words x 4 bits. It is fabricated
with an advanced submicron CMOS technology and designed to operate from a single 5V only
or 3.3V only power supply. Low voltage operation is more suitable to be used on battery
backup, portable electronic application. A new refresh feature called “ self-refresh “ is supported
and very slow CBR cycles are being performed. It is packaged in JEDEC standard 26/24 - pin
plastic SOJ or TSOP (II).
Features
Single 5V (
%) or 3.3V (
%) only power supply
High speed t
RAC
access time : 50/60 ns
Low power dissipation
- Active mode : 5V version 605/550 mW (Max.)
3.3V version 396/360 mW (Max.)
- Standby mode : 5V version 1.375 mW (Max.)
3.3V version 0.54 mW (Max.)
Fast Page Mode access
I/O level : TTL compatible (Vcc = 5V)
LVTTL compatible (Vcc = 3.3V)
2048 refresh cycles in 32 ms (Std) or 128ms (S - version)
4 refresh mode :
- RAS only refresh
- CAS-before-RAS refresh
- Hidden refresh
- Self - refresh (S - version)
10
±
10
±
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VG26VS17400FJ 4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM
VG36128161BT CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG36128401BT CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG36128401A CMOS Synchronous Dynamic RAM
VG36128801A CMOS Synchronous Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VG26V17405DJ-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|EDO|4MX4|CMOS|SOJ|26PIN|PLASTIC
VG26V17405DJ-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26V17405DT-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26V17405DT-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26V17405EJ-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
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