參數(shù)資料
型號(hào)： V8P10
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
中文描述： 高電流密度表面貼裝戴MOS肖特基勢(shì)壘整流器
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
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代理商： V8P10
Document Number: 89005
Revision: 26-Jun-07
www.vishay.com
3
V8P10
Vishay General Semiconductor
New Product
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
Instantaneo
u
s For
w
ard
V
oltage (
V
)
0.4
0.6
0.
8
1.0
1.2
T
j
= 150 °C
T
j
= 125 °C
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= 25 °C
I
u
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= 150 °C
T
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= 125 °C
T
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= 25 °C
Percent of Rated Peak Re
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V
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I
u
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v
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Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
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100
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10000
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1
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V
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J
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T
W
)
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PDF描述
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V8P10-E386A 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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