參數(shù)資料
型號(hào)： V55C2256164VBT10I
廠商： PROMOS TECHNOLOGIES INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 38/46頁(yè)
文件大?。?/td> 575K
代理商： V55C2256164VBT10I
43
V55C2256164VB Rev. 1.2 May 2007
ProMOS TECHNOLOGIES
V55C2256164VB
20.2 Deep Power Down Exit
The deep power down mode is exited by asserting CKE high. After the exit, the following sequence is needed to
enter a new command:
1. Maintain NOP input conditions for a minimum of 200
s
2. Issue precharge commands for all banks of the device
3. Issue eight or more autorefresh commands
4. Issue a mode register set command to initialize the mode register
5. Issue an extended mode register set command to initialize the extende mode register
CLK
CK E
CS
RAS
CAS
WE
tRP
All banks
200
s
Au to
Deep Power Do wn
Auto
tRC
Mode
exi t
prec harge
refresh
Register
Set
Exte nded
Mode
Regis ter
Set
New
Com mand
Acce pted
Here
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V55C3256164VGLK-10IPC SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54
V55C3256164VGLK-7HPC SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54
V580MC04 VCO, 850 MHz - 890 MHz
V707S001 VCO, 500 MHz - 1000 MHz
V706S001 VCO, 600 MHz - 1200 MHz
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參數(shù)描述
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