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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V54C3256164VAT6 |
| 廠商： | MOSEL-VITELIC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 19/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 853K |
| 代理商： | V54C3256164VAT6 |
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26
V54C3256(16/80/40)4V(T/S/B) Rev. 1.6 September 2002
MOSEL VITELIC
V54C3256(16/80/40)4V(T/S/B)
6.2 Write Interrupted by a Read
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
7. Burst Write with Auto-Precharge
Burst Length = 2, CAS latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
WRITE A
READ B
NOP
tCK2, I/O’s
CAS latency = 2
DIN A0
tCK3, I/O’s
CAS latency = 3
DIN A0
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT B3
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
don’t care
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
Input data must be removed from the I/O’s at least one clock
cycle before the Read dataAPpears on the outputs to avoid
data contention.
COMMAND
NOP
WRITE A
Auto-Precharge
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
BANK A
ACTIVE
NOP
DIN A0
DIN A1
I/O’s
CAS latency = 3
I/O’s
CAS latency = 2
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
*
t WR
tRP
DIN A0
DIN A1
tWR
tRP
NOP
*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| V54C3256404VDLJ6 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| V54C3256404VDUI6 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| V54C3256164VBS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C3256164VBT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C3256164VBUC | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:LOW POWER 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, 54-BALL SOC BGA 54-PIN TSOPII 16M X 16 |
| V54C3256164VBUT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:LOW POWER 256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, 54-BALL SOC BGA 54-PIN TSOPII 16M X 16 |
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