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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V54C3128404VBI6I |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | GREEN, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/56頁(yè) |
| 文件大小： | 726K |
| 代理商： | V54C3128404VBI6I |
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V54C3128(16/80/40)4VB*I Rev.1.4 December 2007
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3128(16/80/40)4VB*I
4.2 Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
BANK A
NOP
READ A
WRITE A
NOP
DQM
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
Must be Hi-Z before
the Write Command
tCK2, I/O’s
CAS latency = 2
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
ACTIVATE
1 Clk Interval
tDQZ
tDQW
: “H” or “L”
NOP
READ A
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
DQM
DIN B0
DIN B1
DIN B2
tCK1, I/O’s
CAS latency = 2
tCK2, I/O’s
CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
COMMAND
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DOUT A1
DOUT A0
Must be Hi-Z before
the Write Command
tDQZ
tDQW
: “H” or “L”
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3128404VBJ8PC | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| V54C3128804VBLT7 | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3128804VBT7PC | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3128404VBLI7 | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3128804VBLJ8PC | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C3128404VS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128404VT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128804VAT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125MHz 3.3 VOLT 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 4Mbit X 8 |
| V54C3128804VAT7 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125MHz 3.3 VOLT 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 4Mbit X 8 |
| V54C3128804VAT8 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125MHz 3.3 VOLT 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 4Mbit X 8 |
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