參數(shù)資料
型號: UPG2008TB-E3
廠商: NEC Corp.
英文描述: GaAs INTEGRATED CIRCUIT
中文描述: 砷化鎵集成電路
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大?。?/td> 60K
代理商: UPG2008TB-E3
Data Sheet PG10193EJ01V0DS
4
μ
PG2008TB
EVALUATION CIRCUIT
V
cont1
= 3.0 V, V
cont2
= 0 V or V
cont2
= 0 V, V
cont1
= 3.0 V, off chip DC blocking capacitors value C1 = 51 pF, C2
= 1 000 pF (Bypass), using NEC standard evaluation board.
1
2
3
6
5
4
V
cont2
IN
V
cont1
C2
C2
C1
C1
C1
OUT2
OUT1
G
EVALUATION BOARD
6pin SMM SPDT SW
Vc1
Vc2
IN
OUT 1
OUT 2
C1
C1
C1
C2
C2
V
cont1
OUT1
IN
OUT2
V
cont2
G
TRUTH TABLE
V
cont1
V
cont2
IN
OUT1
IN
OUT2
Low
High
ON
OFF
High
Low
OFF
ON
相關PDF資料
PDF描述
UPG2121TB L-BAND UP/DOWN CONVERTER
UPG2121TB-E3 SOCKET, CHASSIS, 10WAY; Connector type:Circular; Gender:Socket; Ways, No. of:10; Material, contact:Copper Alloy; Plating, contact:Gold; Series:MICRO BUCCANEER; Contact style:Socket; Mounting type:Panel; Approval Bodies:UL, CSA, VDE; RoHS Compliant: Yes
UPG2134TB-E3 L-BAND PA DRIVER AMPLIFIER
UPG2304TK-E2 L-BAND VCO LOCAL BUFFER AMPLIFIER
US5A10AS17K 4-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER FOR SMALL GENERAL-PURPOSE INFRARED REMOTE CONTROL TRANSMITTER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
UPG2008TK 功能描述:RF 開關 IC RO 551-UPG2008TK-A RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關數(shù)量:Single 開關配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離(典型值):43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
UPG2008TK-A 功能描述:RF 開關 IC SPDT Dual Switch RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關數(shù)量:Single 開關配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離(典型值):43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
UPG2008TK-E2 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:GaAs MMIC SPDT Switch
UPG2008TK-E2-A 功能描述:RF 開關 IC SPDT Dual Switch RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關數(shù)量:Single 開關配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離(典型值):43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
UPG2009TB 功能描述:RF 開關 IC L S Band SPDT Switch RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關數(shù)量:Single 開關配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離(典型值):43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel