參數(shù)資料
型號(hào): UPA651TT
廠商: NEC Corp.
英文描述: P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述: P溝道MOS場效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 74K
代理商: UPA651TT
Data Sheet G16203EJ1V0DS
5
μ
PA651TT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
0
0.01
20
40
60
80
100
120
140
V
GS
=
1.8 V
Pulsed
T
A
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
20
40
60
80
100
120
140
I
D
=
2.5 A
Pulsed
1.5 A
R
D
I
D
- Drain Current - A
R
D
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
0
50
100
150
Pulsed
V
GS
=
1.8 V
2.5 V
4.5 V
10
100
1000
10000
V
G S
= 0 V
f = 1 M H z
C
iss
C
oss
C
rss
R
D
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
C
i
,
o
,
r
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1
10
100
1000
10000
V
D D
=
10 V
V
G S
=
4.0 V
R
G
= 10
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
0
1
2
3
4
5
6
I
D
=
5.0 A
V
DD
=
16 V
10 V
4 V
t
d
,
r
,
d
,
f
I
D
- Drain Current - A
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
5
4
3
2
1
0
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PDF描述
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