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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA621TT |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | UPA621TT |
Data Sheet G16112EJ1V0DS
6
μ
PA621TT
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
I
D
= 5.0 A
V
DD
= 16 V
10 V
4 V
Q
G
- Gate Charge - nC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA801TC | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
| UPA801TF | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| UPA801T | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
| UPA801 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
| UPA801TF-T1 | BJT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA621TT-E1-A | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| UPA621TT-E2-A | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| UPA622 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA622TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
| UPA622TT | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA622TT-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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