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參數(shù)資料
| 型號： | UPA621TT |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | UPA621TT |
Data Sheet G16112EJ1V0DS
4
μ
PA621TT
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
5
10
15
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Pulsed
4.0 V
V
GS
= 4.5 V
2.5 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.0 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
|
f
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
V
DS
= 10 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
20
40
60
80
100
-50
0
50
100
150
Pulsed
V
GS
= 2.5 V
4.5 V
4.0 V
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
R
D
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
12
Pulsed
I
D
= 2.5 A
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA801TC | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
| UPA801TF | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| UPA801T | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
| UPA801 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
| UPA801TF-T1 | BJT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA621TT-E1-A | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| UPA621TT-E2-A | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| UPA622 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA622TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
| UPA622TT | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA622TT-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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