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參數(shù)資料
| 型號： | UGB18BCT-HE3/45 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 9 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | UGB18BCT-HE3/45 |
UG(F,B)18ACT thru UG(F,B)18DCT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88759
Revision: 09-Nov-07
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3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
0
25
50
Case Temperat
u
re (°C)
75
100
125
150
175
0
4
8
12
16
20
24
A
v
e
w
a
u
r
Resisti
v
e or Ind
u
cti
v
e Load
1
10
100
10
100
1000
T
= 105 °C
8
.3 ms Single Half Sine-
W
a
v
e
Nu
m
b
er of Cycles at 60 Hz
P
w
a
u
r
u
r
0.4
0.6
Instantaneo
u
s For
w
ard
V
oltage (
V
)
0.
8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
1
10
100
I
u
s
w
a
u
r
T
J
= 25 °C
P
u
lse
W
idth = 300
μ
s
1
%
D
u
ty Cycle
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
Figure 5. Reverse Switching Characteristics Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
0
20
40
60
8
0
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Percent of Rated Peak Re
v
erse
V
oltage (
%
)
I
u
s
v
e
C
u
r
μ
A
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
J
u
nction Temperat
u
re (°C)
150 A/
μ
s
100 A/
μ
s
20 A/
μ
s
20 A/
μ
s
50 A/
μ
s
100 A/
μ
s
50 A/
μ
s
150 A/
μ
s
t
rr
Q
rr
dI/dt =
I
F
= 9.0 A
V
R
= 30
V
S
v
e
v
e
(
0.1
1
10
100
1
10
100
Re
v
erse
V
oltage (
V
)
J
u
n
T
= 125 °C
f = 1.0 MHz
V
sig
= 50 m
V
p-p
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UH2C-E3/52T | 2 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| UIS1813HCM-122F | 1 ELEMENT, 1.15 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UIS1813HCM-122 | 1 ELEMENT, 1.15 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UIS1813HCM-331 | 1 ELEMENT, 0.33 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UIS3316HCM-222 | 1 ELEMENT, 2.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UGB18CCT | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER |
| UGB18CCT/81 | 功能描述:整流器 150 Volt 18 Amp 20ns Dual 175 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| UGB18CCT-E3/81 | 功能描述:整流器 150 Volt 18 Amp 20ns Dual 175 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| UGB18CCTHE3/45 | 功能描述:整流器 18 Amp 150 Volt 20ns Dual 175 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| UGB18CCTHE3/81 | 功能描述:整流器 150 Volt 18 Amp 20ns Dual 175 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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