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參數(shù)資料
| 型號： | UG8CT-HE3/45 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 128K |
| 代理商： | UG8CT-HE3/45 |
UG(F,B)8AT thru UG(F,B)8DT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88765
Revision: 09-Nov-07
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3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Charateristics
0
6
8
10
12
75
50
25
0
100
125
150
175
A
v
e
w
a
u
r
Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
4
2
Resisti
v
e or Ind
u
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v
e Load
10
100
1000
1
100
10
P
w
a
u
r
u
r
T
= 100 °C
8
.3 ms Single Half Sine-
W
a
v
e
Nu
m
b
er of Cycles at 60 Hz
0.4
0.6
Instantaneo
u
s For
w
ard
V
oltage (
V
)
0.
8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
10
100
1
I
u
s
w
a
u
r
T
J
= 25 °C
P
u
lse
W
idth = 300
μ
s
1
%
D
u
ty Cycle
Figure 4. Typical Reverse Charateristics
Figure 5. Reverse Switching Characteristics
Figure 6. Typical Junction Capacitance
60
40
20
0
100
8
0
0.01
0.1
10
1
100
1000
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
u
s
v
e
C
u
r
μ
A
Percent of Rated Peak Re
v
erse
V
oltage (
%
)
0
30
40
50
60
75
50
25
0
100
125
150
175
R
v
e
v
e
R
v
e
J
u
nction Temperat
u
re (°C)
20
10
I
F
= 4.0 A
V
R
= 30
V
20 A/
μ
s
50 A/
μ
s
100 A/
μ
s
50 A/
μ
s
150 A/
μ
s
20 A/
μ
s
t
rr
Q
rr
dI/dt = 150 A/
μ
s
dI/dt = 100 A/
μ
s
Re
v
erse
V
oltage (
V
)
J
u
n
0.1
10
1
100
100
10
1
T
= 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig
= 50 m
V
p-p
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UGB18BCT-HE3/45 | 9 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| UH2C-E3/52T | 2 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| UIS1813HCM-122F | 1 ELEMENT, 1.15 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UIS1813HCM-122 | 1 ELEMENT, 1.15 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UIS1813HCM-331 | 1 ELEMENT, 0.33 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UG8DT | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Ultrafast Rectifier |
| UG8DT | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE SOFT RECOVERY 8A |
| UG8DT/45 | 功能描述:整流器 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| UG8DT-E3/45 | 功能描述:整流器 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| UG8DTHE3/45 | 功能描述:整流器 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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