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參數資料
| 型號： | U401 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V的單片雙N溝道結型場效應管) |
| 中文描述： | 單片雙N溝道場效應（最小柵源擊穿電壓至40V的單片雙?溝道結型場效應管） |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | U401 |
SST/U401 Series
Siliconix
S-52424—Rev. E, 14-Apr-97
3
Typical Characteristics
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
–1.2 V
–1.4 V
Drain Current and Transconductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
–
I
D
g
f
10
0
–2.5
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
8
6
4
0
8.0
6.4
4.8
3.2
0
2
1.6
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DG
= 15 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
g
fs
I
DSS
Gate Leakage Current
V
DG
– Drain-Gate Voltage (V)
–
I
G
0
50
0.1 pA
10 pA
1 pA
I
GSS
@ 125 C
I
GSS
@ 25 C
T
A
= 125 C
T
A
= 25 C
I
G
@ I
D
= 500 mA
10
20
30
40
100 pA
1 nA
10 nA
100 nA
Output Characteristics
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
–
I
D
4
0
16
8
4
20
3.2
2.4
1.6
0.8
0
7
0
16
8
4
20
6
5
2
1
0
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
–1.2 V
12
12
3
4
V
GS(off)
= –1.5 V
V
GS(off)
= –2 V
Output Characteristics
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
3
0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
2.4
1.8
1.2
0
0.6
V
GS(off)
= –1.5 V
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
4
0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
3.2
2.4
1.6
0
0.8
V
GS
= 0 V
V
GS(off)
= –2 V
–1.2 V
–1.2 V
50 mA
50 mA
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PDF描述 |
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