參數(shù)資料
型號: TSC87251G2D-L16CB
廠商: TEMIC SEMICONDUCTORS
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
中文描述: 16-BIT, OTPROM, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44
封裝: PLASTIC, LCC-44
文件頁數(shù): 23/28頁
文件大?。?/td> 153K
代理商: TSC87251G2D-L16CB
Qualpack TSC87251G2D
Rev. 0 – October 1999
23
3.6.3 LFR (Latent Failure Rate)
The LFR is measured by operating devices at elevated temperatures for 1000 hours and measuring the
failure rate. Using the Arrhenius law, the expected failure rate at a operating temperature of 55°C is
calculated using an activation Energy of 0.6 eV with a confidence level of 60%. This is expressed in units
per billion hours (FIT). The figures given are for the subject and structurally similar products.
0
10
20
30
40
1995
1996
1997
1998
Obj.99
Year
FIT
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PDF描述
TSC83251G2D-L16CB B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
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參數(shù)描述
TSC87251G2D-L16CBR 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C,LIN,SPI,UART/USART,USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測/復(fù)位,POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲器容量:8KB(4K x 16) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 包裝:帶卷 (TR)
TSC87251G2D-L16CE 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:9 系列:87C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:40/20MHz 連通性:UART/USART 外圍設(shè)備:POR,WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:32KB(32K x 8) 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:40-DIP(0.600",15.24mm) 包裝:管件
TSC87251G2D-L16CER 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C,LIN,SPI,UART/USART,USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測/復(fù)位,POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲器容量:8KB(4K x 16) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 包裝:帶卷 (TR)
TSC873CT A3 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TSC873CW RPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2